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Toshiba News

電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TPH2R408QM、TPH4R008QM、TPN8R408QM、TPN12008QM

当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ4品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプパッケージで、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)[注1]採用の「TPH2R408QM、TPH4R008QM」、TSON Advance採用の「TPN8R408QM、TPN12008QM」です。

電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TPH2R408QM、TPH4R008QM、TPN8R408QM、TPN12008QM


新製品は、低耐圧トレンチ構造の新世代プロセス「U-MOSⅩ-H」を採用し、業界トップクラス[注2]の低いドレイン · ソース間オン抵抗を実現しました。また、素子構造を最適化し、ドレイン · ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注3]しました。これにより導通損失が低減し、機器の省電力化に貢献できます。さらに、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引継いでおり、スイッチング用途時の性能指数である「ドレイン · ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量」を低減[注4]しています。

[注1] SOP Advance(N) : SOP Advanceより業界での実装互換を重視し4.90×6.10 mm (typ.) としたパッケージ
[注2] 同定格の製品で、当社調べ (2020年6月時点) によるものです。
[注3] TPH2R408QMの場合、TPH4R008NH (U-MOSVIII-H) と比べて「ドレイン · ソース間オン抵抗 (typ.) × 出力電荷量 (typ.) 」を約31 %改善。
[注4] TPH2R408QMの場合、TPH4R008NH (U-MOSVIII-H) と比べて「ドレイン · ソース間オン抵抗 (typ.) × ゲートスイッチ電荷量 (typ.) 」を約10 %低減。

特⻑

  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 :

RDS(ON)=2.43 mΩ (max) @VGS=10 V (TPH2R408QM)
RDS(ON)=4 mΩ (max) @VGS=10 V (TPH4R008QM)
RDS(ON)=8.4 mΩ (max) @VGS=10 V (TPN8R408QM)
RDS(ON)=12.3 mΩ (max) @VGS=10 V (TPN12008QM)

  • 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
  • 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)

用途

  • 産業機器のスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
  • モーター制御機器 (モータードライブなど)

www.toshiba.co.jp

 

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