ソニー、産業用効率向上のためコンパクトなDFN8x8パッケージの第3世代SiC MOSFETを発表

ソニーの 650V SiC MOSFET は、高密度産業用電力システム向けに、90% 小型化された DFN8x8 パッケージでスイッチング損失を 55% 削減します。

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当社は、スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、当社最新 の第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを小型DFN8×8パッケージに搭載した、650V耐圧の4製品「TW031V65C」、「TW054V65C」、「TW092V65C」、「TW123V65C」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。

新製品は、第3世代SiC MOSFETで当社初の小型面実装パッケージのDFN8×8を採用しています。従来のリード挿入型パッケージのTO-247、TO-247-4L(X)パッケージに比べ体積が90%以上削減されており、機器の電力密度の向上に貢献します。

また、面実装によりリード挿入型より寄生インピーダンス 成分が小さくなり、スイッチング損失を低減します。さらに、4端子タイプ であるため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することで、パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を小さくでき、高速スイッチング性能を実現します。これにより、TW054V65Cの場合、当社既存製品と比べてターンオン損失を約55%、ターンオフ損失を約25%低減することができ、機器の電力損失の低減に貢献します。

当社は、今後も機器の電力の⾼効率化と大容量化に貢献する製品ラインアップを拡充していきます。

新製品の主な特長

• 表面実装 (DFN8×8) パッケージを採用: 機器の小型化、実装工程の自動化が可能。低スイッチング損失。
• 当社第3世代SiC MOSFET
• ドリフト抵抗とチャネル抵抗比の最適化による、ドレイン・ソース間オン抵抗の良好な温度依存性。
• ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い。
• 順方向電圧 (ダイオード) が低い: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)

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