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'23
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Toshiba News
産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
当社は、産業用機器向けに最新の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。
新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラスの低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。
応用機器
- スイッチング電源
- EV充電スタンド
- 太陽光発電用インバーター
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
- 低い逆電流：TRS6E65Hの場合 IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V)
- 低い総電荷量：TRS6E65Hの場合 QC＝17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)
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