IoT機器の高周波アンテナを静電気から保護する超低容量TVSダイオードの発売について
当社は、電子機器に使用される高周波アンテナの信号品質の劣化を抑えつつ、静電気やノイズから半導体などの電子部品を保護する超低容量TVSダイオード「DF2B6M4BSL」を製品化し、本日から出荷を開始します。
Wi-Fi®などの無線通信の高周波アンテナで使用される保護素子は、高調波の歪を抑えて対象の電子部品を保護することが必要です。
新製品DF2B6M4BSLは、端子間容量を既存製品[注1]と比べて約25%低減、最大0.15pFに抑え当社最小の超低容量を実現しました。この超低容量特性によりアンテナの受信性能に影響を与える高調波の歪を抑えることができます。
高周波アンテナのESD保護には、ESDサプレッサーを使用しているケースがありますが、DF2B6M4BSLへ置き換えることによりESDサプレッサーよりも静電気印加時の保護対象にかかる電圧を低減することができます。
DF2B6M4BSLは、このように高い保護性能と低容量性により、高周波アンテナやさらには高速信号ラインのESD保護に貢献します。
[注1] 当社既存製品：DF2B6M4ASL
応用機器
IoT機器、モバイル機器などの電子機器における高周波アンテナ、高速信号ラインのESD保護
新製品の主な特長
- 低端子間容量 : Ct=0.12pF (typ.) / 0.15pF (max) @VR=0V、f=1MHz
- 低高調波歪特性 :
- f=2.4GHz、20dBm input条件
- 2次高調波歪 : －65.5dBm (参考値)
- 3次高調波歪 : －54.4dBm (参考値)
- f=5.0GHz、20dBm input条件
- 2次高調波歪 : －64.7dBm (参考値)
- 3次高調波歪 : －55.5dBm (参考値)
- 低Vpeak電圧：VCL-max-peak=215V (参考値) @IEC61000-4-2(接触放電)、+8kV入力
新製品の主な仕様
(@Ta=25°C)
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
DF2B6M4BSL
当社のTVSダイオード（ESD保護用ダイオード）の詳細については下記ページをご覧ください。
TVSダイオード (ESD保護用ダイオード）
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
DF2B6M4BSL
www.toshiba.com
