薄型・高温動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5771H、TLP5772H、TLP5774H

当社は、小～中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5771H、TLP5772H、TLP5774H」を製品化しました。

新製品は、最大動作温度定格を既存製品[注1]の110 °Cから125 °Cへ拡張しました。また、主要特性を動作温度定格 (−40～125 °C) で規格化しましたので、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなります。

パッケージは、高さが最大2.3 mmの低背のため、セット基板上での部品配置の自由度向上に貢献します。さらに、当社従来製品[注2]のSDIP6パッケージ[注3]のランドパターンに実装可能です。このため、基板裏面への実装や高さ制限のある場所での置き換えが可能です。

[注1] 既存製品 : TLP5771、TLP5772、TLP5774
[注2] 従来製品 : SDIP6パッケージ TLP700H、TLP701H
[注3] パッケージ高さ4.15 mm (max)

特長

• ピーク出力電流定格が大きい (@Ta= −40～125 °C) :

IOPH/IOPL= −1.0/+1.0 A (TLP5771H)
IOPH/IOPL= −2.5/+2.5 A (TLP5772H)
IOPH/IOPL= −4.0/+4.0 A (TLP5774H)

• 高い動作温度定格 : Topr max=125 °C
• Rail-to-rail出力

用途
IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動

• 産業用機器 (汎用インバーターや太陽光発電インバーターなど)
• 家庭用電気製品 (エアコン用インバーターなど)
  

製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta= −40～125 °C)



端子配置図



応用回路例



注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

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