電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ10品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。パッケージは3種類で、リード挿入タイプTO-220採用の「TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM」、絶縁型リード挿入タイプ TO-220SIS採用の「TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、TK6R8A08QM」、表面実装タイプDPAK採用の「TK5R1P08QM、TK6R9P08QM」です。

新製品は、低耐圧トレンチ構造の新世代プロセス「U-MOSⅩ-H」を採用し、業界トップクラス[注1]の低いドレイン·ソース間オン抵抗を実現しました。これにより導通損失が低減し、機器の省電力化に貢献できます。さらに、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引き継いでいます。これによりスイッチング用途時の性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]しています。

[注1] 同定格の製品で、当社調べ (2021年2月時点) によるものです。
[注2] TK2R4E08QMの場合、TK100E08N1 (U-MOSVIII-H) と比べてドレイン・ソースオン抵抗 (typ.)×ゲートスイッチ電荷量 (typ.) を約8 %低減。

特長

• 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 :

            RDS(ON)=2.44 mΩ (max) ＠VGS=10 V (TK2R4E08QM)

• 低電荷量（出力／ゲートスイッチ）
• 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)

用途

• 産業機器のスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
• モーター制御機器 (モータードライブなど)
  

製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)



内部回路構成図



応用回路例






注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

∗ 本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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