650V第3世代SiC MOSFET TOLLパッケージ製品のリリース

当社は、スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、当社最新の第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを面実装のTOLLパッケージに搭載した、650V耐圧の3製品「TW027U65C」、「TW048U65C」、「TW083U65C」を製品化しました。本日から量産出荷を開始します。

新製品は、汎用的な表面実装パッケージのTOLLを採用した第3世代SiC MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージ (TO-247、TO-247-4L(X)) と比較して、体積を80%以上削減しており、機器の電力密度の向上に貢献します。

さらに、リード挿入型パッケージと比べて寄生インピーダンスが小さく、スイッチング損失の低減に寄与します。加えて、4端子タイプ であるため、ゲートドライブ用信号ソース端子をケルビン接続することで、パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を小さくでき、高速スイッチング性能を実現します。

これにより、例えばTW048U65Cでは、当社既存製品と比較してターンオン損失を約55%、ターンオフ損失を約25%低減でき、機器の電力損失の低減に貢献します。

当社は、今後も機器の電力の高効率化と大容量化に貢献する製品ラインアップを拡充していきます。