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リテルヒューズ、コンパクトな電源設計向けにブートストラップを内蔵したIXD0579Mゲートドライバを発表

リテルヒューズのIXD0579Mは、3x3mmのパッケージにブートストラップ部品を内蔵し、コンパクトな電源回路向けに1.5A/2.5Aの駆動能力を提供します。

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リテルヒューズ、コンパクトな電源設計向けにブートストラップを内蔵したIXD0579Mゲートドライバを発表

リテルヒューズジャパンは、高速ゲートドライバIC「IIXD0579Mシリーズ」を6月下旬に発売します。「IIXD0579Mシリーズ」は、基板設計の簡素化と省スペース化に貢献し、ハーフブリッジ構成のNチャネルMOSFETまたはIGBTを駆動するための信頼性の高いマルチソースソリューションを提供します。

本製品は6.5~18Vの広い電圧範囲で動作する設計となっており、通常は個別の実装を必要とするブートストラップダイオードと直列電流制限抵抗を、単一のコンパクトな3×3mm2TDFN-10パッケージに統合した製品です。この革新的な統合により部品点数とコストを削減しながら、PCBレイアウトが容易になります。

「IXD0579Mシリーズ」は、リテルヒューズで初のブートストラップダイオードと電流制限抵抗を内蔵したゲートドライバで、当社の電力制御ソリューションポートフォリオをさらに充実させます。

特長

  • 高い駆動能力:ソース電流1.5A、シンク電流2.5Aの出力駆動電流
  • 幅広い電圧範囲:6.5~18Vで動作し、UVLO保護機能付き
  • ブートストラップ回路内蔵:オンチップのブートストラップダイオードと抵抗により設計を簡素化
  • ロジックレベルの互換性:TTLおよびCMOSレベル(最小3.3V)との直接インターフェース
  • クロスコンダクション保護:ハイサイドとローサイドの同時導通を防止
  • 超低スタンバイ電流:1μA未満のスタンバイ・モードでエネルギー効率が向上
  • 温度への強靭性:-40~+125℃まで動作可能

仕様

  • 最大オフセット電圧:100V
  • ソースピーク駆動電流(代表値):1.5A
  • シンクピーク駆動電流(代表値):2.5A
  • 入力:HIN / LIN / EN
  • デッドタイム:なし
  • 伝搬遅延時間(tON):65ns
  • 伝搬遅延時間(tOFF):58ns
  • 立ち上がり時間(tr):19ns
  • 立ち下り時間(tf):15ns
  • IC パッケージタイプ:10-pin TDFN

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