ローム、業界をリードする高耐圧GaNアプリケーション向け絶縁型ゲートドライバを発表
ロームの新製品「BM6GD11BFJ-LB」ゲートドライバは、電力システムにおける600V GaN HEMT向けに、2MHzのスイッチング周波数と150V/nsのノイズ耐性を実現します。
www.rohm.com
ローム株式会社（本社：京都市）は、600Vクラスの高耐圧GaN HEMT駆動に適した絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発しました。本製品を組み合わせることでGaNデバイスの高周波・高速スイッチングにおける安定した駆動を実現し、モーターやサーバー電源など、大電流アプリケーションの小型化と高効率化に貢献します。
新製品は、ローム初の高耐圧GaN HEMT向け絶縁ゲートドライバICです。急激な電圧上昇および下降を繰り返すスイッチング動作においてデバイスと制御回路を分離し、安全な信号伝送を実現します。
独自に開発したオンチップ絶縁技術を用いることで寄生容量を低減し、最大2MHzの高周波駆動を実現しました。GaNデバイスの高速スイッチング特性を引き出すことで、アプリケーションの省エネ化と高性能化に貢献するほか、周辺部品を小型化できるため実装面積の削減にもつながります。
また、絶縁ゲートドライバICのノイズ耐性を示すコモンモード過渡耐圧（CMTI）は従来品比で1.5倍となる150V/ナノ秒（ns）で、GaN HEMTスイッチング時の懸念である高スルーレートでの誤動作を防止して安定した制御をサポートします。最小パルス幅も従来品比で33%縮小し、オン時間を最小65nsに短縮。これにより高周波化しても最小Duty比を確保できるため、損失低減を最小限に抑えます。
GaNデバイスのゲート駆動電圧範囲は4.5V～6.0V、絶縁耐圧は2500Vrmsで、ロームのEcoGaN(TM)シリーズとして新しくラインアップに加わった650V 耐圧GaN HEMT「GNP2070TD-Z」をはじめ、さまざまな高耐圧GaNデバイスの性能を引き出します。出力側の消費電流は0.5mA（最大）で業界トップクラスの低消費電力性能を達成しており、待機電力も削減できます。
新製品は2025年3月より量産（サンプル価格600円/個：税抜）を開始しています。インターネット販売も開始しており、コアスタッフ(TM)オンラインやチップワンストップ(TM)などから購入することができます。
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