インフィニオン、次世代SiC技術のCoolSiC™ MOSFET Generation 2を発表

インフィニオン テクノロジーズ は、パワーシステムとエネルギー変換の新たなページを開き、次世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFETトレンチ技術を発表しました。

インフィニオンの新しい CoolSiC™ MOSFET 650 Vおよび1200 V Generation 2は、電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上させ、全体的なエネルギー効率を高めるととともに脱炭素化に一層寄与します。

CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技術は、電力変換時の効率向上につながるエネルギー損失の減少を可能にしつつ、SiCの性能能力をこれまでどおり活用します。そして太陽光発電、蓄電システム、DC 電気自動車 (EV) 充電、モーター駆動、産業用電源など、さまざまな電力半導体アプリケーションにおいて、お客様に大きなメリットをもたらします。

CoolSiC™ G2を用いることで、急速DC EV充電ステーションは、フォームファクターを損なうことなく充電容量を増やしながら、電力損失を前世代より最大10%減らすことができます。また、トラクション インバーターに用いることで、EVの航続距離をより一層広げることができます。再生可能エネルギー分野では、CoolSiC™ G2を使用して設計した太陽光インバーターは大きな発電量を維持しながら小型化できるため、ワット当たりのコストが下がります。

インフィニオンのグリーン インダストリアル パワー事業部プレジデントであるピーター バーウァー (Peter Wawer)は「社会の大きな潮流により、新しく効率的なエネルギーの発電、送電、消費の方法が求められています。インフィニオンは、CoolSiC™ MOSFET G2によってSiCの性能を新たなレベルに引き上げます。この新世代のSiC技術により、エネルギーを節約し、設置された機器のワット当たりCO 2排出量を削減する、コスト最適化したコンパクトかつ信頼性と効率の高いシステムの設計の加速が実現します。これは、産業、民生、自動車の各セクターで脱炭素化とデジタル化のためのイノベーションを常に追い求める、インフィニオンのスピリットの好例です」と述べています。

他社に先駆けてインフィニオンが手がけた、高性能CoolSiC™ MOSFET G2ソリューションに採用されるトレンチ技術は、最適化された設計上のトレードオフを実現し、従来のSiC MOSFET技術より効率と信頼性を高めることができます。インフィニオンは、受賞歴のある.XT相互接合技術と組み合わせることによって熱伝導性を高め、設計性や制御性を向上させ、性能を改善して、CoolSiC™ G2を用いた設計の潜在能力を一層高めています。

インフィニオンは、シリコン、SiC、窒化ガリウム (GaN) というすべてのパワー半導体技術を使いこなすことによって、現代の設計者の期待や要望に応える設計上の柔軟性と最先端のアプリケーション ノウハウを提供します。SiCやGaNのようなワイド バンドギャップ (WBG) 素材の革新的な半導体は、脱炭素化の促進を意識して効率的にエネルギーを利用するための鍵です。

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