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Rohm Semiconductors News

ローム、高効率動作のためのNCH MOSFETを発表

Pch MOSFETよりもオン抵抗が小さく、幅広い回路で使い勝手が良いため、現在市場ではNch MOSFETの方が流通している。

ローム、高効率動作のためのNCH MOSFETを発表

ローム株式会社 は、基地局・サーバー用電源や、産業機器・民生機器用モーターなど、24V/36V/48V系統の電源で動作するアプリケーションの駆動に最適な、Nch MOSFET「RS6xxxxBx / RH6xxxxBxシリーズ」13製品(40V/60V/80V/100V/150V)を開発しました。

新製品は、プロセスの微細化による素子性能の向上に加えて、抵抗の低い銅クリップ接続のHSOP8/HSMT8パッケージを採用したことにより、従来品より約50%低い業界トップクラスのオン抵抗(Ron) 2.1mΩを達成しています。また、ゲート構造の改善により、一般的にオン抵抗とトレードオフの関係になるQgd(ゲート・ドレイン間電荷量)も従来品比で約40%低減(Ron・Qgdともに、HSOP8パッケージ、60V耐圧品のTyp.値で比較)。これにより、スイッチング損失及び導通損失を低減できるため、各アプリケーションの高効率動作に大きく貢献します。高効率動作の一例として、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比較した場合、定常動作時の出力電流範囲において、新製品は業界トップクラス※の電源効率(ピーク時約95%)を達成しています。

新製品は、2023年1月より当面月産100万個の体制で量産(サンプル価格500円/個:税抜)を開始しています。インターネット販売も開始しており、コアスタッフオンライン、チップワンストップなどから購入することができます。



今後もロームは、さらに低オン抵抗のMOSFETを開発中であり、各種機器の低消費電力化に寄与することで、省エネ化による環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。

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